These facts are updated till 8 Jan 2024, and are based on Volza's Export Import data of HSN Code 3818, sourced from 70 countries export import shipments with names of buyers, suppliers, top decision maker's contact information like phone, email and LinkedIn profiles.
HSN Code | Product Description | Origin | Destination | Qty. | Importer | Exporter |
---|
3818009000 | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА ИЗ АРСЕНИД-ГАЛЛИЯ В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ 100 ММ, ТОЛЩИНОЙ 0.63 ММ, ОСНОВА ИЗГОТОВЛЕНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GAAS), НА ПОВЕРХНОСТЬ КОТОРОЙ НАНЕСЕНА ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ИЗ СВЕРХТОНКИХ СЛОЕВ (3 | Taiwan | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ: МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛИТКИ GAAS АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ГАЛЛИЙ И МЫШЬЯК С ЗАДАННЫМ КОЛИЧЕСТВЕННЫМ СООТНОШЕНИЕМ), ДИАМЕТРОМ 40 ММ | Slovakia | Russia | NA | |||
3818009000 | ПЛАСТИНЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS) В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ 50,8 ММ И ТОЛЩИНОЙ 0,31ММ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ - 100 ШТ. НЕ ДЛЯ РОЗНИЧНОЙ ПРОДАЖИ | Slovakia | Russia | NA | 60 More Columns Available | ||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 100+/-0,5мм;test,P-тип, Опір 1-30 Ом *см; Товщина 500+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-1град.,одна сторона полірована -1000шт. Торговельна марка : Пролог Семікор Країна виробництва : UA Виробник : Пролог Семікор | Ukraine | France | 25.90 | |||
38180000 | 02 QTY | United States | Sri Lanka | 3 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип,Опір 0,001-0,005Ом*см; Товщина 300+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-0,5град. одна сторонаполірована -500шт. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип,Опір 5-10 Ом*см; Товщина300+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-0,5град. одна сторона полірована -1000шт.Діаметр 100+/-0,5мм; Р-тип,Опір 0,001-0,005 Ом*см; Товщина 500+/-25мкм.; Орієнтація(111)+/-0,5град. одна сторонаполірована -100шт.Виробник - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA.Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | United States | NA | |||
38180000 | 02 QTY | United Kingdom | Sri Lanka | 2 | |||
38180000 | NA | Sri Lanka | Maldives | 5 | |||
3818001000 | 1.Кремнієві пластини леговані. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип, Опір 4-6 Ом*см; Товщина 254+/-25мкм; Орієнтація (110)+/-0,5град.,одна сторона полірована -72шт. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип, Опір 8-12 Ом*см; Товщина 254+/-25мкм; Орієнтація (110)+/-0,5град.,одна сторона полірована -100шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип, Опір 1-10 Ом*см; Товщина 1200+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-0,5град.,дві сторони поліровані -100шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип, Опір 0,3-0,5 Ом*см; Товщина 525+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-0,5град.,одна сторона полірована -200шт. Торговельна марка : Пролог Семікор Країна виробництва : UA Виробник : Пролог Семікор | Ukraine | United States | 10.40 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 76,2+/-0,5мм; N-тип,Опір 1-20 Ом *см; Товщина 380+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Діаметр 100+/-0,5мм; P-тип,Опір 1-20 Ом* см; Товщина 525+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип,Опір 1-20 Ом* см; Товщина 525+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Виробник - Пролог Семікор. Країна виробництва - UA. Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | France | 20 | |||
3818001000 | 1.Кремнієві пластини леговані: марки 100+/-0,5мм.,test,тип-Р,опір 1-20Ом*см,товшина 450+/-25мкм.,Орієнтація (100)+/-1град, одна сторона полірована-100шт.Виробник - Пролог Семікор.Торговельна марка - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA. | Ukraine | France | 2.50 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані:-Діаметр 76,2+/-0,5мм; Р-тип, Опір 1-10 Ом*см; Товщина 380+/-25мкм; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована - 200шт.Виробник - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA.Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | Taiwan | NA | |||
381800000000 | SOLDADURA, GUIA No. 1Z3704170471230381- | N/A | Costa Rica | NA | |||
38180010 | OF SILICON | China | Brazil | NA | |||
38180090 | OTHER | United States | Brazil | 1 | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818009000 | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ N-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ ИЗ АРСЕНИД-ГАЛЛИЯ, В СЛИТКАХ ДИАМЕТРОМ 102 (+/-0.5) ММ, ДЛИНОЙ 32.0+/-2.0 ММ, ИЗГОТОВЛЕН ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GAAS) С ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСЬЮ ИЗ ТЕЛЛУРА (TE), ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH850P" - 3 ШТ., "DDH890P" - 3 ШТ., ХИМ. СОСТАВ: GA (20-38%)AS (52%)AL (10-28%). | Russia | China | NA | |||
38180000 | LIMPIADOR DE CONTACTOS ELECTRONICOS | United States | Panama | 170 | |||
38180000 | LIMPIADORES DE CONTACTO ADA | Germany | Panama | 132 | |||
3818009000 | ПЛАСТИНКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS), ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЕМ (ПРОВОДИМОСТЬ N-ТИПА), В ФОРМЕ ДИСКОВ, С ПОЛИРОВАННОЙ ЛИЦЕВОЙ И ОБОРОТНОЙ СТОРОНАМИ | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH740N" - 60 КВ.СМ (7 ШТ.), "DDH693N" - 100 КВ.СМ (13 ШТ.), "DDH810N" - 100 КВ.СМ ( | Russia | Germany | NA | |||
3818009000 | ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ПЛАСТИН: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818009000 | КОНЦЕНТРАТОРНАЯ ТРЕХКАСКАДНАЯ СТРУКТУРА (ПЛАСТИНА) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПРИ НАСТРОЙКЕ СОЛНЕЧНОГО ИМИТАТОРА | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ: МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛИТКИ GAAS АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ГАЛЛИЙ И МЫШЬЯК С ЗАДАННЫМ КОЛИЧЕСТВЕННЫМ СООТНОШЕНИЕМ), ДИАМЕТРОМ 40 ММ | Slovakia | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ, ОЧИЩЕННЫЙ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПОЛИРОВАННЫЙ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ДИАМЕТРОМ 300 ММ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕСТОВ ГОТОВНОСТИ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ : СМ. ДОПОЛНЕНИЕ | United States | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННИКЕ- ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ, ДИАМЕТРОМ 200 ММ: НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮЩИЕ ЭЛЕКТРО-МАГНИТНОГО УСИЛЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖАТ КОМПОНЕНТЫ ИЗ СВЕРХПРОВОДИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. | Italy | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ, ОЧИЩЕННЫЙ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПОЛИРОВАННЫЙ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННИКЕ- ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ, ДИАМЕТРОМ 300 ММ: НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮЩИЕ ЭЛЕКТРО-МАГНИТНОГО УСИЛЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖАТ КОМПОНЕНТЫ ИЗ СВЕРХПРОВОДИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. | Japan | Russia | NA | |||
3818000000 | DO 027526-0-01 DECLARACION(2-11) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 11.03 | |||
3818000000 | DO 027327-0-01 DECLARACION(3-10) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 62.70 | |||
3818000000 | DO 027777-0-01 DECLARACION(5-7) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCIO | Romania | Colombia | 6.70 | |||
3818000000 | DO 028349-0-01 DECLARACION(6-10) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 49.95 | |||
3818009009 | NA | Germany | Philippines | 5 | |||
3818009009 | NA | Taiwan | Philippines | 11 | |||
3818009009 | NA | Germany | Philippines | 3 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 221 | |||
3818009009 | NA | Belgium | Philippines | 4 | |||
3818009009 | NA | South Korea | Philippines | 10.44 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 91.09 | |||
3818009009 | NA | United States | Philippines | 119.62 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 2098.97 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 663.62 | |||
3818009009 | NA | United States | Philippines | 1.90 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1JS11791SFTD-02 WAFER | China | India | 800 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1924-10941 WAFER | China | India | 1500 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1924-10541 WAFER | China | India | 1500 | |||
38180000 | Chemical elements doped for use in electronics, in the form of discs, wafers or similar forms; chemical compounds doped for use in electronics. | China | Ethiopia | NA | |||
381800900000 | WAFER | China | Turkey | 1000000 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 2763554 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182+/-0.25MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182 MM SIZEAS PER PO NO. 5300013147 DATED 22.09.2023 AS PER INV/PL | China | India | 1209600 | |||
381800900000 | Silicon wafe | United States | Turkey | 4 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182ASTERIS 182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231024F | China | India | 1287200 | |||
38180090 | 100MM HPSI SIC WAFER W/GAN EPI S4TPF0RSSPL002-02GA DN: 0080092290 | United States | India | 35 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVFOR USE IN SOLAR PHOTOVOLTAIC CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 890872-PCS | Hong Kong | India | 890872 | |||
381800900000 | Wafer (1 set consisting of 12 pieces) | Malaysia | Turkey | 12 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 49749-PCS | Hong Kong | India | 49749 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A QTY 59749-PCS | China | India | 59749 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 1200251-PCS | China | India | 1200251 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER, SIZEMM182+/-0.25 | China | India | 1209600 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER, OF 182+/-0.25MM | China | India | 1814400 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR2403100GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 13215 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VSSR2005331471JTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 1000 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | THERMAL PASTE | China | India | 240 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR24031330GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 8810 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR2001103GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 6495 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR1601103GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 12990 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-1FOR US | China | India | 2721600 | |||
38180010 | SILICON WAFER-UNDIFFUSED MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER 182*182MM HIGH EFFICIENCY FOR MANUF. OF SOLAR CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-3FOR US | China | India | 712800 | |||
38180010 | TOPCON N-TYPE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182 PLUS OR MINUS 0.25MM SIZE | China | India | 2764800 | |||
38180010 | SILICON WAFER-UNDIFFUSED MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER 182*182MM HIGH EFFICIENCY FOR MANUF. OF SOLAR CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-2FOR US | China | India | 612560 |
HSN Code | Product Description | Origin | Destination | Qty. | Importer | Exporter |
---|
3818009000 | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА ИЗ АРСЕНИД-ГАЛЛИЯ В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ 100 ММ, ТОЛЩИНОЙ 0.63 ММ, ОСНОВА ИЗГОТОВЛЕНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GAAS), НА ПОВЕРХНОСТЬ КОТОРОЙ НАНЕСЕНА ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ИЗ СВЕРХТОНКИХ СЛОЕВ (3 | Taiwan | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ: МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛИТКИ GAAS АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ГАЛЛИЙ И МЫШЬЯК С ЗАДАННЫМ КОЛИЧЕСТВЕННЫМ СООТНОШЕНИЕМ), ДИАМЕТРОМ 40 ММ | Slovakia | Russia | NA | |||
3818009000 | ПЛАСТИНЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS) В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ 50,8 ММ И ТОЛЩИНОЙ 0,31ММ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ - 100 ШТ. НЕ ДЛЯ РОЗНИЧНОЙ ПРОДАЖИ | Slovakia | Russia | NA | 60 More Columns Available | ||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 100+/-0,5мм;test,P-тип, Опір 1-30 Ом *см; Товщина 500+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-1град.,одна сторона полірована -1000шт. Торговельна марка : Пролог Семікор Країна виробництва : UA Виробник : Пролог Семікор | Ukraine | France | 25.90 | |||
38180000 | 02 QTY | United States | Sri Lanka | 3 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип,Опір 0,001-0,005Ом*см; Товщина 300+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-0,5град. одна сторонаполірована -500шт. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип,Опір 5-10 Ом*см; Товщина300+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-0,5град. одна сторона полірована -1000шт.Діаметр 100+/-0,5мм; Р-тип,Опір 0,001-0,005 Ом*см; Товщина 500+/-25мкм.; Орієнтація(111)+/-0,5град. одна сторонаполірована -100шт.Виробник - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA.Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | United States | NA | |||
38180000 | 02 QTY | United Kingdom | Sri Lanka | 2 | |||
38180000 | NA | Sri Lanka | Maldives | 5 | |||
3818001000 | 1.Кремнієві пластини леговані. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип, Опір 4-6 Ом*см; Товщина 254+/-25мкм; Орієнтація (110)+/-0,5град.,одна сторона полірована -72шт. Діаметр 50,8+/-0,5мм; Р-тип, Опір 8-12 Ом*см; Товщина 254+/-25мкм; Орієнтація (110)+/-0,5град.,одна сторона полірована -100шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип, Опір 1-10 Ом*см; Товщина 1200+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-0,5град.,дві сторони поліровані -100шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип, Опір 0,3-0,5 Ом*см; Товщина 525+/-25мкм; Орієнтація (100)+/-0,5град.,одна сторона полірована -200шт. Торговельна марка : Пролог Семікор Країна виробництва : UA Виробник : Пролог Семікор | Ukraine | United States | 10.40 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані: Діаметр 76,2+/-0,5мм; N-тип,Опір 1-20 Ом *см; Товщина 380+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Діаметр 100+/-0,5мм; P-тип,Опір 1-20 Ом* см; Товщина 525+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Діаметр 100+/-0,5мм; N-тип,Опір 1-20 Ом* см; Товщина 525+/-25мкм.; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована -300шт. Виробник - Пролог Семікор. Країна виробництва - UA. Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | France | 20 | |||
3818001000 | 1.Кремнієві пластини леговані: марки 100+/-0,5мм.,test,тип-Р,опір 1-20Ом*см,товшина 450+/-25мкм.,Орієнтація (100)+/-1град, одна сторона полірована-100шт.Виробник - Пролог Семікор.Торговельна марка - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA. | Ukraine | France | 2.50 | |||
3818001000 | 1. Кремнієві пластини леговані:-Діаметр 76,2+/-0,5мм; Р-тип, Опір 1-10 Ом*см; Товщина 380+/-25мкм; Орієнтація(100)+/-1град. одна сторона полірована - 200шт.Виробник - Пролог Семікор.Країна виробництва - UA.Торгівельна марка - Пролог Семікор. | Ukraine | Taiwan | NA | |||
381800000000 | SOLDADURA, GUIA No. 1Z3704170471230381- | N/A | Costa Rica | NA | |||
38180010 | OF SILICON | China | Brazil | NA | |||
38180090 | OTHER | United States | Brazil | 1 | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818009000 | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ N-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ ИЗ АРСЕНИД-ГАЛЛИЯ, В СЛИТКАХ ДИАМЕТРОМ 102 (+/-0.5) ММ, ДЛИНОЙ 32.0+/-2.0 ММ, ИЗГОТОВЛЕН ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GAAS) С ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСЬЮ ИЗ ТЕЛЛУРА (TE), ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH850P" - 3 ШТ., "DDH890P" - 3 ШТ., ХИМ. СОСТАВ: GA (20-38%)AS (52%)AL (10-28%). | Russia | China | NA | |||
38180000 | LIMPIADOR DE CONTACTOS ELECTRONICOS | United States | Panama | 170 | |||
38180000 | LIMPIADORES DE CONTACTO ADA | Germany | Panama | 132 | |||
3818009000 | ПЛАСТИНКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS), ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЕМ (ПРОВОДИМОСТЬ N-ТИПА), В ФОРМЕ ДИСКОВ, С ПОЛИРОВАННОЙ ЛИЦЕВОЙ И ОБОРОТНОЙ СТОРОНАМИ | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH740N" - 60 КВ.СМ (7 ШТ.), "DDH693N" - 100 КВ.СМ (13 ШТ.), "DDH810N" - 100 КВ.СМ ( | Russia | Germany | NA | |||
3818009000 | ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ПЛАСТИН: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ (НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ),: | N/A | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818009000 | КОНЦЕНТРАТОРНАЯ ТРЕХКАСКАДНАЯ СТРУКТУРА (ПЛАСТИНА) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПРИ НАСТРОЙКЕ СОЛНЕЧНОГО ИМИТАТОРА | Germany | Russia | NA | |||
3818009000 | СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ: МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛИТКИ GAAS АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ГАЛЛИЙ И МЫШЬЯК С ЗАДАННЫМ КОЛИЧЕСТВЕННЫМ СООТНОШЕНИЕМ), ДИАМЕТРОМ 40 ММ | Slovakia | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ ПОЛИРОВАННЫЕ,ЛЕГИРОВАННЫЕ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ; УПАКОВАНЫ В КАССЕТЫ /ПО 25 ШТ/, ВАКУУМНЫЕ ПАКЕТЫ, ПРОЛОЖЕНЫ КАРТОННЫМИ И ПЕНОПЛАСТОВЫМИ ВСТАВКАМИ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ, ОЧИЩЕННЫЙ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПОЛИРОВАННЫЙ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ДИАМЕТРОМ 300 ММ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕСТОВ ГОТОВНОСТИ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ОБОРУДОВАНИЯ : СМ. ДОПОЛНЕНИЕ | United States | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННИКЕ- ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ, ДИАМЕТРОМ 200 ММ: НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮЩИЕ ЭЛЕКТРО-МАГНИТНОГО УСИЛЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖАТ КОМПОНЕНТЫ ИЗ СВЕРХПРОВОДИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. | Italy | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ, ОЧИЩЕННЫЙ, МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПОЛИРОВАННЫЙ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: | China | Russia | NA | |||
3818001000 | КРЕМНИЙ ЛЕГИРОВАННЫЙ В ФОРМЕ ПЛАСТИН, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННИКЕ- ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЕВЫЕ, ДИАМЕТРОМ 300 ММ: НЕ РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ, НЕ ИМЕЮЩИЕ ЭЛЕКТРО-МАГНИТНОГО УСИЛЕНИЯ, НЕ СОДЕРЖАТ КОМПОНЕНТЫ ИЗ СВЕРХПРОВОДИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. | Japan | Russia | NA | |||
3818000000 | DO 027526-0-01 DECLARACION(2-11) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 11.03 | |||
3818000000 | DO 027327-0-01 DECLARACION(3-10) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 62.70 | |||
3818000000 | DO 027777-0-01 DECLARACION(5-7) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCIO | Romania | Colombia | 6.70 | |||
3818000000 | DO 028349-0-01 DECLARACION(6-10) NOS ACOGEMOS AL DECRETO 1625 DE AGOSTO 14 DE 2015 REDUCCI | Romania | Colombia | 49.95 | |||
3818009009 | NA | Germany | Philippines | 5 | |||
3818009009 | NA | Taiwan | Philippines | 11 | |||
3818009009 | NA | Germany | Philippines | 3 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 221 | |||
3818009009 | NA | Belgium | Philippines | 4 | |||
3818009009 | NA | South Korea | Philippines | 10.44 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 91.09 | |||
3818009009 | NA | United States | Philippines | 119.62 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 2098.97 | |||
3818009009 | NA | Japan | Philippines | 663.62 | |||
3818009009 | NA | United States | Philippines | 1.90 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1JS11791SFTD-02 WAFER | China | India | 800 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1924-10941 WAFER | China | India | 1500 | |||
38180090 | MODEL: 1FF1924-10541 WAFER | China | India | 1500 | |||
38180000 | Chemical elements doped for use in electronics, in the form of discs, wafers or similar forms; chemical compounds doped for use in electronics. | China | Ethiopia | NA | |||
381800900000 | WAFER | China | Turkey | 1000000 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 2763554 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182+/-0.25MM | China | India | 1209600 | |||
38180010 | TOPCON N TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182 MM SIZEAS PER PO NO. 5300013147 DATED 22.09.2023 AS PER INV/PL | China | India | 1209600 | |||
381800900000 | Silicon wafe | United States | Turkey | 4 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182ASTERIS 182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231024F | China | India | 1287200 | |||
38180090 | 100MM HPSI SIC WAFER W/GAN EPI S4TPF0RSSPL002-02GA DN: 0080092290 | United States | India | 35 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVFOR USE IN SOLAR PHOTOVOLTAIC CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 890872-PCS | Hong Kong | India | 890872 | |||
381800900000 | Wafer (1 set consisting of 12 pieces) | Malaysia | Turkey | 12 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 49749-PCS | Hong Kong | India | 49749 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
381800000000 | POLISHED WAFER P2-E | China | Tanzania | 814 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A QTY 59749-PCS | China | India | 59749 | |||
38180010 | POLY SILICON WAFER UNDIFFUSED 158.75 MM / GRADE A 1200251-PCS | China | India | 1200251 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER, SIZEMM182+/-0.25 | China | India | 1209600 | |||
38180010 | P-TYPE MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER, OF 182+/-0.25MM | China | India | 1814400 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR2403100GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 13215 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VSSR2005331471JTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 1000 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | THERMAL PASTE | China | India | 240 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR24031330GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 8810 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR2001103GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 6495 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3, X-cut, 10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.25mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | IC CHIPS IN THE FORM OF SILICON WAFERP/N.VTSR1601103GTFANNEXURE-III SL NO.220 | United States | India | 12990 | |||
38180090 | LiNbO3, X-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiNbO3 , Y-cut, 10x10x0.1mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P. O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180090 | LiTaO3 , Y-cut,10x10x0.5mm, SSP [FOR RESEARCH USE ONLY] P.O.NO. 4300004501 | China | India | 10 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-1FOR US | China | India | 2721600 | |||
38180010 | SILICON WAFER-UNDIFFUSED MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER 182*182MM HIGH EFFICIENCY FOR MANUF. OF SOLAR CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-3FOR US | China | India | 712800 | |||
38180010 | TOPCON N-TYPE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER OF 182 PLUS OR MINUS 0.25MM SIZE | China | India | 2764800 | |||
38180010 | SILICON WAFER-UNDIFFUSED MONO CRYSTALLINE SILICON WAFER 182*182MM HIGH EFFICIENCY FOR MANUF. OF SOLAR CELL | China | India | 1360800 | |||
38180010 | UNDIFFUSED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER 182X182MM HIGH EFFICIECNY WAFERAS PER INVINV.NO.CI-SHAKTI-20231017-2FOR US | China | India | 612560 |
Volza's data of World HSN Code 3818 exports allows you to study detailed data with buyer supplier names for last 10 years.
Volza's data of World HSN Code 3818 exports helps you create a export strategy from detailed trade data with buyer supplier names, price, volume for last 10 years.
You can find World HSN Code 3818 export market intelligence of last 10 years with buyer, supplier, price and volume from volza.com
You can find New markets for HSN Code 3818 exports from Volza Country wise market report of last 10 years with growth rate, buyer, supplier, price and volume.
Top 5 HSN codes for HSN Code 3818 are HSN Code 38180090 , HSN Code 38180010 , HSN Code 38180000, HSN Code 38180000000, HSN Code 38180019, You can check for details at https://www.volza.com/hs-codes.
Volza's data of World HSN Code 3818 exports is 100% authentic as it is based on actual export import shipments and is collected globally from over 20,000 ports from over 70+ Countries.
Data of World HSN Code 3818 exports contains strategic information and is very useful for exporters and importers who want to expand global trade, improve supply chain of HSN Code 3818, find economical vendors, new buyers and fast growing markets.
Data of World HSN Code 3818 exports contains date of shipment, Name and contact details of exporter, importer, product description, price, quantity, country & port of origin, country & port of destination and many other fields.
We update World HSN Code 3818 export data from most of the countries every month, but time may vary from country to country.
You can download latest data of Jan-2024 of World HSN Code 3818 exports here
You can download Volza World HSN Code 3818 export data with names of buyers and suppliers.
There are two options to Subscribe, Online Access starts at $1500 and reports from Volza Consulting starts at $1000.
Volza Sales team will be happy to answer your questions, you can reach us at [email protected] or +1-302 786 5213.
Online |
---|
Mode Do it yourself |
Availiblity Instant access |
Cost Access 209+ countries data |
Payment Instant Online |
Data Format Excel |
View More |
Volza Consulting |
---|
Mode Customer Order |
Availiblity Starts within 48 hours |
Cost $1000 |
Payment Online and other modes |
Data Format Excel, SQL, MSAcess & Custom |
View More |
Support
Important Links
Partners
Trade Data
About Us
Partners